A Samsung Electronics, gigante da tecnologia e inovação em armazenamento, orgulha-se de anunciar o início da produção em massa de sua mais nova e avançada geração de memória V-NAND de 9ª geração. Este feito notável apresenta chips de memória de 1 TB com uma arquitetura de célula de nível triplo (TLC), que garantem uma impressionante taxa de transferência de dados de até 3,2 GT/s. Os primeiros a se beneficiar dessa inovação serão os usuários de SSDs de alta capacidade e alto desempenho, onde essa tecnologia deve causar um impacto substancial.
Uma característica que destaca este lançamento é a evolução no número de camadas de memória, passando das atuais 236 da 8ª geração para um número estimado de 290 camadas na 9ª geração, ainda que a Samsung não tenha confirmado esses números oficialmente. A introdução de melhorias como a miniaturização do tamanho das células e tecnologias aprimoradas que diminuem interferências e aumentam a vida útil das células resultou em uma densidade de bits 50% maior em comparação com a geração anterior.
Um dos avanços mais cruciais é a confirmação do uso de uma “estrutura de pilha dupla”, que refere-se ao empilhamento de strings, uma técnica que se tornará cada vez mais fundamental para a produção de NAND à medida que as matrizes se tornam mais complexas e densas. Além disso, a Samsung implementou uma tecnologia avançada de gravação de buracos de canal que melhora significativamente a produtividade da fabricação, permitindo a perfuração de caminhos de elétrons de maneira simultânea e eficiente através da estrutura de pilha dupla, um processo vital para o empilhamento de uma quantidade maior de camadas de células.
O lançamento inclui também a introdução de uma interface flash NAND mais rápida, o Toggle DDR 5.1, proporcionando um aumento de 33% na taxa máxima de transferência de dados, o equivalente a quase 400 MB/s para um único chip. Paralelamente a isso, a Samsung conseguiu reduzir o consumo de energia da 9ª Geração V-NAND em 10%, o que promete mais eficiência energética.
Completando esse marco para a indústria, SungHoi Hur, chefe de produto e tecnologia Flash do negócio de memória da Samsung Electronics, enfatiza a importância dessa inovação para as aplicações futuras, apontando para um mercado de unidades de estado sólido (SSD) de alto desempenho e alta densidade voltado para atender as demandas crescentes da era da Inteligência Artificial.
Além do mais, a Samsung planeja, ainda este ano, lançar modelos de célula de nível quádruplo (QLC), ampliando ainda mais suas capacidades e o espectro de opções para consumidores e empresas.
Com esse anúncio, a Samsung reforça seu compromisso em liderar a evolução tecnológica, oferecendo produtos que não apenas atendem, mas antecipam as necessidades do mercado de armazenamento de dados global.
