terça-feira, junho 18, 2024
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TSMC prepara matrizes básicas HBM4 de última geração, construídas em nós de 12 nm e 5 nm

TSMC Revela Inovações em Memória HBM4 com Pilhas de Alta Densidade e Processos de 5 nm e 12 nm

A TSMC, gigante da indústria de semicondutores, anunciou novos detalhes sobre suas inovadoras matrizes básicas para a memória de banda larga de alta velocidade de quarta geração (HBM4), segundo informações compartilhadas durante o Simpósio Europeu de Tecnologia de 2024. A HBM4, conhecida por sua impressionante largura de interface que salta de 1024 para 2048 bits, exigirá avanços substanciais em técnicas de empacotamento de chips para acomodar seu aumento de desempenho.

Utilizando os avançados nós de fabricação de 12 nanômetros (N12) e 5 nanômetros (N5), a TSMC se posiciona como player chave na fabricação HBM4. A estratégia da empresa envolve dois processos distintos: N12FFC+ e N5, visando a integração da memória HBM4E com processadores de inteligência artificial (IA) e computação de alto desempenho (HPC).

“A TSMC está alinhada com os principais fornecedores de memória HBM, como Micron, Samsung e SK Hynix, para trabalhar com os nós N12 e N5 visando uma completa integração da stack HBM4,” afirmou o Diretor Sênior de Design e Plataforma de Tecnologia da empresa. A N12FFC+ se destaca pelo seu desempenho HBM4 apropriado, suportando configurações de até 64 GB com largura de banda por pilha superando 2 TB/s.

As matrizes básicas serão cruciais para a construção de sistemas em pacote (SiPs) empregando a tecnologia CoWoS-L ou CoWoS-R da TSMC, que facilitam a instalação de até 12 stacks HBM4. A TSMC garante que, através de parcerias estratégicas com empresas EDA como Cadence, Synopsys e Ansys, a integridade do sinal e a precisão nas métricas de calor e tensão foram devidamente certificadas.

Adicionalmente, matrizes básicas N5 oferecem a promessa de ainda mais lógica e menor gasto energético, além do benefício de passos de interconexão mais diminutos. Isso eleva o potencial do HBM4 ao permitir stacks 3D diretamente sobre os chips lógicos, maximizando a largura de banda de memória – um requisito crítico para chips de IA e HPC.

Enquanto a colaboração da TSMC com a SK Hynix já está estabelecida, há expectativa de que matrizes básicas HBM4 também sejam produzidas para a Micron, enquanto a relação com a Samsung é menos provável devido à produção interna de lógica avançada do conglomerado.

O Simpósio Europeu de Tecnologia TSMC forneceu uma visão valiosa sobre os avanços da TSMC em memória HBM4, sinalizando sua contínua liderança e compromisso com inovações de ponta no campo de semicondutores. Em um cenário onde a demanda por performance de memória está em constante crescimento, a TSMC emerge como uma força fundamental para o futuro do armazenamento de memória de alta velocidade.

Alan
Alanhttps://tecmania.com.br
Apaixonado por tecnologia e viciado em séries, que escreve para o TecMania nas horas vagas. Jogador amador de Fortnite que nunca aprendeu a construir no game rs.
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