No mês passado, surgiu um relatório de que a Samsung planeja renomear seu processo de 3nm de segunda geração, chamando-o confusamente de 2nm. Embora não esteja claro por que a empresa faria isso, um novo relatório lançou mais luz sobre o seu processo real de 2 nm. A empresa coreana está trabalhando na melhoria de sua arquitetura de transistor GAA (Gate All Around) para o novo nó de processo. O objetivo é iniciar a produção em massa de 2 nm em 2025.
Samsung está se preparando para produzir chips GAA de 2 nm em massa em 2025
A Samsung há muito marca 2025 como o ano da produção em massa de 2 nm em seu roteiro de semicondutores. Um novo relatório da Business Korea sugere que a empresa está no caminho certo para conseguir isso. Atualmente está desenvolvendo sua tecnologia GAA de terceira geração que planeja aplicar aos seus chips de 2 nm. A empresa coreana mudou pela primeira vez para a arquitetura GAA para seus chips de 3 nm em 2022. A tecnologia GAA de segunda geração é aplicada ao seu processo de 3 nm de segunda geração.
De acordo com o novo relatório, a Samsung irá apresentar um artigo sobre tecnologia GAA no Simpósio VLSI (Very Large Scale Integration) 2024. A prestigiada conferência global de semicondutores acontecerá no Havaí de 16 a 20 de junho. É uma das maiores conferências de semicondutores do mundo, juntamente com a Conferência Internacional de Circuitos de Estado Sólido (ISSCC). ) e o Encontro Internacional de Dispositivos Eletrônicos (IEDM).
A Samsung é a única empresa atualmente produzindo tecnologia GAA em massa. Seu arquirrival TSMC também começou a fabricar chips de 3 nm em 2022, mas a empresa taiwanesa manteve a arquitetura de transistor FinFET mais antiga. A empresa planeja usar a tecnologia GAA em seus chips de 2 nm no próximo ano. Como tal, a Samsung terá uma vantagem tecnológica quando a era dos 2nm começar em 2025. Resta saber se a empresa faz valer esta vantagem.
A arquitetura do transistor GAA ajuda a melhorar o desempenho e a eficiência energética dos chips. Também permite um design de chip mais compacto. Tecnologia GAA de primeira geração da Samsung oferecida uma redução de 16% no tamanho do chip, um aumento de desempenho de 23% e eficiência energética 45% maior. Diz-se que a solução de segunda geração traz uma redução de área de 35%, desempenho 30% melhor e eficiência 50% maior. A tecnologia GAA de terceira geração trará mais melhorias.
Samsung Foundry ainda não garantiu contratos importantes de 3 nm
Apesar de ser a primeira fundição do mundo a iniciar a produção em massa de 3nm com a arquitetura GAA, a Samsung ainda não garantiu grandes contratos de fabricação. A TSMC, por outro lado, já fabricou chips de 3 nm para a Apple, o A17 Pro para o iPhone 15 Pro e o iPhone 15 Pro Max. O tempo dirá se a Samsung conseguirá virar a maré a seu favor na era dos 2nm. A Qualcomm supostamente solicitou amostras de 2 nm da empresa.
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